Diagnostics of highly doped czochralski-grown silicon...

Technical Physics Letters 2006 / 12 Vol. 32; Iss. 12

Diagnostics of highly doped czochralski-grown silicon crystals

R. N. Kyutt, S. S. Ruvimov, I. L. Shulpina
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Volume:
32
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1134/s106378500612025x
Date:
December, 2006
Fichier:
PDF, 204 KB
english, 2006
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