Influence of delta〈Mn〉 doping parameters of the GaAs...

Physics of the Solid State 2010 / 11 Vol. 52; Iss. 11

Influence of delta〈Mn〉 doping parameters of the GaAs barrier on circularly polarized luminescence of GaAs/InGaAs heterostructures

M. V. Dorokhin, S. V. Zaĭtsev, A. S. Brichkin, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, V. D. Kulakovskiĭ, M. M. Prokof’eva, A. E. Sholina
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Volume:
52
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1134/s1063783410110144
Date:
November, 2010
Fichier:
PDF, 232 KB
english, 2010
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