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Mechanism of the GaN LED efficiency falloff with increasing...

Semiconductors 2010 / 06 Vol. 44; Iss. 6

Mechanism of the GaN LED efficiency falloff with increasing current

N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, Y. S. Lelikov, F. E. Latyshev, Y. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Y. G. Shreter
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Volume:
44
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1134/s1063782610060175
Date:
June, 2010
Fichier:
PDF, 213 KB
english, 2010
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