TEM study of the structure of gallium nitride epitaxial...

TEM study of the structure of gallium nitride epitaxial films grown on substrates with different interface morphologies

A. A. Sitnikova, S. G. Konnikov, D. A. Kirilenko, M. G. Mynbaeva, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, T. Lang
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Volume:
1
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1134/s102745100703007x
Date:
June, 2007
Fichier:
PDF, 426 KB
english, 2007
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