Forming through channels in silicon substrates

Technical Physics Letters 2002 / 12 Vol. 28; Iss. 12

Forming through channels in silicon substrates

É. Yu. Buchin, Yu. I. Denisenko, V. I. Rudakov
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Volume:
28
Langue:
english
Pages:
2
DOI:
10.1134/1.1535502
Date:
December, 2002
Fichier:
PDF, 136 KB
english, 2002
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