Band-edge line-up in GaAs/GaAsN/InGaAs heterostructures

Semiconductors 2002 / 12 Vol. 36; Iss. 12

Band-edge line-up in GaAs/GaAsN/InGaAs heterostructures

A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Krizhanovskaya, V. V. Mamutin, V. M. Ustinov
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Volume:
36
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1134/1.1529246
Date:
December, 2002
Fichier:
PDF, 65 KB
english, 2002
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