Thermodynamic analysis of the growth of GaAsN ternary...

Semiconductors 2001 / 05 Vol. 35; Iss. 5

Thermodynamic analysis of the growth of GaAsN ternary compounds by molecular beam epitaxy

V. A. Odnoblyudov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, E. S. Semenova, V. M. Ustinov
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Volume:
35
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1134/1.1371617
Date:
May, 2001
Fichier:
PDF, 67 KB
english, 2001
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