Photoelectric properties of GaN/GaP heterostructures

Semiconductors 1998 / 10 Vol. 32; Iss. 10

Photoelectric properties of GaN/GaP heterostructures

V. M. Botnaryuk, S. D. Raevskii, V. V. Bel’kov, Yu. V. Zhilyaev, Yu. V. Rud’, L. M. Fedorov, V. Yu. Rud’
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Volume:
32
Langue:
english
Pages:
3
DOI:
10.1134/1.1187571
Date:
October, 1998
Fichier:
PDF, 76 KB
english, 1998
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