A new recombination center in heavily doped GaAs: Zn grown...

Semiconductors 1998 / 10 Vol. 32; Iss. 10

A new recombination center in heavily doped GaAs: Zn grown by liquid-phase epitaxy

K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, N. A. Yakusheva, I. P. Petrenko
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Volume:
32
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1134/1.1187565
Date:
October, 1998
Fichier:
PDF, 98 KB
english, 1998
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